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依托顶尖的8英寸压电氮化铝(AlN)平台,经过5年持续投入,开发的压电声压梯度式超声芯片。
MEMS芯片 M-01-005性能指标
参数
500kHz 芯片
工作原理
压电氮化铝
静态电容
250pF
击穿电压
>100VDC
谐振阻抗
2000Ω
当前芯片尺寸
2.5mmx2.5mm
最大工作耐压
2MPa