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MEMS芯片 M-01-010
    发布时间: 2018-08-09 16:37    

依托顶尖的8英寸压电氮化铝(AlN)平台,经过5年持续投入,开发出全球首款压电声压梯度式超声MEMS芯片。

MEMS芯片   M-01-010


MEMS芯片   M-01-010性能指标



参数

1MHz芯片

工作原理

压电氮化铝

静态电容

330pF

击穿电压

>100VDC

谐振阻抗

240 Ω

当前芯片尺寸

3.5mmx3.5mm

最大工作耐压

3MPa